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En un estudio publicado en la revista Nature, científicos de la Academia China de Ciencias y la Universidad de Pekín presentaron un transistor emisor térmico compuesto por grafeno y germanio. Este dispositivo utiliza un novedoso mecanismo de "emisión estimulada" para generar portadores de carga a altas energías.
Un equipo de investigadores chinos ha realizado un avance significativo en el campo de la electrónica al desarrollar un nuevo tipo de transistor que podría transformar los circuitos integrados.
Transistor revolucionario que transforma la electrónica
Este descubrimiento supera las limitaciones inherentes a los transistores convencionales. A su vez, inaugura un abanico de posibilidades para el desarrollo de dispositivos electrónicos más veloces y eficientes, según lo destacó la cadena estatal CCTV.
Una de las innovaciones más cruciales de este dispositivo radica en su capacidad para alcanzar una pendiente subumbral inferior a 1 mV/dec, superando el límite de Boltzmann (60 mV/dec) de los transistores tradicionales, lo que podría facilitar la creación de circuitos integrados más compactos y potentes.
El transistor, que se compone de dos uniones Schottky acopladas de grafeno/germanio, permite una resistencia diferencial negativa con una relación entre la corriente pico y la corriente valle. Al superar los 100 a temperatura ambiente, se convierte en una opción especialmente prometedora para aplicaciones en computación de bajo consumo y circuitos multivalorados, además de ser potencialmente útil en la creación de osciladores y amplificadores.
Los autores del estudio, encabezados por los investigadores Liu Chi, Sun Dongming y Cheng Huiming, confían en que este innovador tipo de transistor fomente futuras investigaciones en el ámbito de los dispositivos electrónicos y contribuya significativamente al desarrollo de tecnologías más avanzadas y eficientes.
Fuente: EFE
